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元件参数资料
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参数目录42043
> IXFH18N100Q3 MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247
型号:
IXFH18N100Q3
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
IXYS
描述:
MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
IXFH18N100Q3 PDF
特色产品
Q3-Class HiPerFET? Power MOSFETs
标准包装
30
系列
HiPerFET™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
1000V(1kV)
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
18A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
660 毫欧 @ 9A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
6.5V @ 4mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
90nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
4890pF @ 25V
功率 - 最大
830W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商设备封装
TO-247
包装
管件
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